IPP200N15N3 G دیتاشیت

IPP200N15N3 G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPP200N15N3 G
حجم فایل 77.808 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

دانلود دیتاشیت IPP200N15N3 G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPB200N15N3 G
  • Power Dissipation (Pd): 150W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Continuous Drain Current (Id): 50A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@90uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@10V,50A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه